内存时序对游戏的影响（内存频率高低，对电脑玩游戏有没有影响）

本文目录

• 内存频率高低，对电脑玩游戏有没有影响
• 内存的时序和频率玩游戏时哪个更重要
• 内存时序是什么对性能影响大吗
• 内存时序高会怎么样影响电脑性能吗
• 内存时序对内存的性能影响大吗
• 要看能不能玩游戏应该看电脑的什么

内存频率高低，对电脑玩游戏有没有影响

• 肯定有影响的，内存频率高速率就快

• 影响非常小在大部分游戏里面。
  当然是在高频率低延迟的内存里面运行游戏游戏帧数会相对高一些些。
  高频率高延迟的内存运行游戏可能还不如低频率低延迟来得流畅。频率和内存时序同样都很重要，内存并不是看一方面的。

内存的时序和频率玩游戏时哪个更重要

你说的问题正是AMD迟迟未支持DDR2的原因，虽然DDR2内存工艺进步，频率有了很大提升，但是由于内存时序的延迟增加，性能并未提高，因此AMD迟迟没有发布集成了支持DDR2内存控制器的CPU。不过经过AMD的实际测试，当内存频率达到ddr667这个水平时基本可以弥补因为延迟带来的性能损失。
对于你的提问，502频率提升非常的小，但是时序延迟增加0.5得不偿失，建议你使用498。另外你说的为什么高频率会产生较高的内存延迟，这是因为在高频工作时，为了修复检测因为频率过高带来的数据同步以及信号干扰问题，无法避免使得延迟增加。

内存时序是什么对性能影响大吗

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。

这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。内存时序对性能影响较大。

扩展资料：

当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。

举例来说，DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟，CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。

现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。

注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错访问SDRAM的多个内部bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的DDR内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。

即便增加了内存延迟，增加内存带宽也可以改善多处理器或多个执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽也将提升没有专用显存的集成显卡的性能。

参考资料：百度百科-内存时序

内存时序高会怎么样影响电脑性能吗

内存时序高说明系统的性能较低，延迟大。

内存时序较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，简称为CL值，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。目前，一般好一些的内存条，在参数中都会标注CL值。

总的来说，时序是决定内存性能的一个参数，但并不是说时序越低，性能就一定越好，它还与内存容量、频率有关。只能说，在相同容量和频率下的两条内存，时序越低，性能就越好。

扩展资料：

内存时序具体含义：

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：

1、CL：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长短）

确实是同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高，CL值也越来越大，但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大，内存条的CL延迟就越大，内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。

2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值。

tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率，而如果不能加大电压和放宽CL值，那么就只能把tRCD值增大。

现在的DDR4一般的1.2V，想要CL值好看，还想要内存条能超频到更高，那就加大tRCD咯，还想要灯光效果，那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差，相反代表内存条可以超到一个很高的频率。

3、tRP：在下一周期之前，预充电需要的时钟周期。

虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大，但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率，正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。

4、tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。

此操作并不会频繁发生，只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失，太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大，一般可以稍微放宽tRAS值。

参考资料来源：百度百科--内存时序

内存时序对内存的性能影响大吗

常见的内存有容量、频率和时序这三个主要指标，一般来说内存的容量是最重要的，因为内存作为CPU的数据中转站，如果容量达不到要求，CPU就只能上慢速的硬盘里读取数据，运算速度就会大大受限，甚至有的大型软件和游戏可能因为内存不足而无法运行，所以充足的容量是内存的前提条件，然后才可以考虑频率和时序的影响。

内存的时序通常以数字的形式写作“AA-BB-CC-DD”，其中有CL潜伏时间、tRCD行地址到列地址等待时间等等，这些反映的都是内存在不同工作环节当中的延迟时间，数值越低意味着数据延迟时间越短，性能也就越强，所以我们都愿意选购延迟时间更低的产品，只是高频率和低延迟我们一般不可以兼得，所以许多超高频率的内存延迟也是相当高。

内存频率和内存延迟都对内存性能起作用，一般来说，内存频率的性能影响更广泛一些，无论在应用软件还是游戏中，在延迟相同的情况下，频率更高的内存都会带来明显的性能提升，然而内存延迟在大部分应用软件中的实际影响不太明显（除了跑分），但是对某些游戏影响还是比较明显的。

所以我们在日常使用中不必过于追求低延迟内存，除非你是需要对内存超频，同样条件下选购延迟较低的产品证明这款内存颗粒的超频潜力也会更大，一般来说内存频率的提升优先于延迟，所以可以通过适当增加内存延迟来拔高频率。

要看能不能玩游戏应该看电脑的什么

要看能不能玩游戏先看电脑的什么？

这个要先看最基本的CPU显卡内存电源这些。

第一眼先看显卡，显卡不够，高U低显你玩游戏就会卡顿。第二看CPU，CPU不够的话高分辨率（比如1080P、2K分辨率）和高特效也会拖慢或者卡顿，接着是固态硬盘，这个对帧率影响不大，但是对于游戏加载有很大帮助，接着是内存，内存时序太低会影响帧率，基本就是这些